集微网消息（文/马慧）9月6日，东微半导在披露的投资者关系活动记录中表示，公司持续进行新技术开发工作，遵循公司技术路线图稳步推进各项技术迭代，在高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET及TGBT产品领域积极进行新一代技术开发，有序推进产品从8英寸转12英寸的工艺平台拓展工作，进展顺利。在TGBT产品领域，公司加强对自有知识产权技术Tri-gateIGBT技术研发力度，产品顺利通过多个客户验证并被批量使用，迅速实现了高性能IGBT产品的国产化替代。公司第二代Tri-gateIGBT技术开发成功，产品性能进一步提升。同时，公司积极布局第三代功率半导体产品，SiC研发项目稳步推进。

东微半导进一步针对公司第三代半导体产品何时正式面向市场的问询表示，公司积极布局第三代功率半导体器件如SiCMOSFET相关器件，提出新技术路线，申请多项第三代半导体相关专利，完善对相关知识产权的全面保护，目前，新技术路线产品开发顺利，相关专利产品已在积极推广及客户认证阶段，市场进展顺利，创新技术可行性得到进一步验证。

另外，据其介绍，公司的IGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构，是区别于国际主流IGBT技术的创新型器件技术，通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，公司已有产品的工作电压范围覆盖V-，V工作电流覆盖15AA。公司的TGBT系列IGBT功率器件已逐渐发展出低导通压降、电机驱动、软恢复二极管、逆导、高速和超高速等系列。公司的TGBT产品在不提高制造难度的前提下提升了功率密度，优化了内部载流子分布，调整了电场与电荷的分布，同时优化了导通损耗与开关损耗，具有高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点，特别适用于直流充电桩、变频器、储能逆变器、UPS电源、电机驱动、电焊机、光伏逆变器等领域。

目前，东微半导主力产品GreenMOS高压超级结MOSFET系列已启动第五代产品开发，基于公司掌握的优化电荷平衡、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等专利，产品关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平，广泛应用于新能源汽车直流充电桩、车载充电机、储能和光伏逆变器、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、UPS电源和工业照明电源等领域。高压超级结MOSFET产品已经形成市场影响力与产品竞争力的正向循环，而创新性的TGBT器件营收也正快速放量，在高端IGBT器件市场未来前景颇具想象空间。需要强调的是公司在第三代半导体领域的应用取得实质性进展。目前，部分车载电子客户已经使用东微半导开发的并联SiC二极管的高速系列TGBT产品实现对SiCMOSFET的替代，初步获得新能源车载充电机应用客户的批量订单。此外，公司也提出了创新的SiCMOSFET的技术路线，采用公司独创新型栅控场效应晶体管专利技术的高性能高可靠性VSiCMOSFET器件开发顺利，已申请多项相关专利，可对采用传统技术路线的SiCMOSFET进行替代。

（校对/占旭亮）